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国产SSD将迎来爆发长江存储自主开发64层3D闪存已量产

发布时间:20-03-24

根据楚天都市±报的报道,长江存储科技∷有限责任公司副董事长杨道ⓥ虹表示,国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效,自主开发的64层三维闪存产品实现量产。

据介绍ы,杨道虹表示,当前以及今后一◐段时间他们目前的┓@任务∝ぷ是如期π达成月产能10万片,在二期项目中将会达到30万片/月产『能。Ⅰ

根据之前的Ⅷ介绍,长江存储科技有限责任〤公司早在2018年№就公开发布其突破性技术&mυdωas〧h;—Xtacking,该技术将大幅提∧升NAN≥D I/O速度到3.0Gbps。

根据官方的说明,采用Xtacking技术,可在一片晶圆▪上独立加工负△责█数据íI/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方″式有利于选择合适的先进逻辑工艺,?以让NAND获取更高的I/ζO接口速度≡⌒及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xt┗acking 技术只需一〾个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical InΩterconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接►通电路,而且ㄨ只增加了有限的成本∠。

现在ↂ,长江ō存储已◤成功将Xtack‖ing 技术应用于其第二代3D NAN۩..D产品的开∞发,大规模量产之后,预计会╩有更多的储存产品用上国产芯片。

杨道虹还透露称,不仅64层三维闪存产品实现量产,更高层的三۩๑维闪存产品研ì发∈也取得阶段性成果,进一步缩短了与国际龙头企业的差距。

据悉,长江存储℉科技有限责任公司于2016年7〣月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立,公司经营范围$包括半导体集成电路科技领域内的技术开发;集๑成┚电路及相关产品的设计等。

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